深度行业研究报告

核心驱动力

1. 政策驱动 (顶层设计与国家意志): 从商务部推动国家级创新中心，到上海市支持产业攻关，再到工信部将相关材料纳入战略目录，均表明第三代半导体是国家实现科技自立自强、保障产业链安全的核心环节。
2. 技术迭代 (性能优势): SiC、GaN具备耐高压、耐高温、高频率、低损耗的物理特性，在新能源汽车、数据中心、5G通信等高要求场景中成为必然选择。“在太空成功验证”更是对其性能优势的极致证明。
3. 市场拉动 (商业化落地): 已脱离纯粹的故事阶段。中瓷电子的SiC业务已主要配套比亚迪；英诺赛科的车规级GaN产品出货量同比增长986.7%。新能源汽车、消费电子快充等真实且庞大的市场需求，提供了清晰的商业化路径。

市场热度与情绪

市场热度极高。“第三代半导体”作为一个高频标签，与“华为”、“人工智能”等顶级热点并列出现，表明其在资本市场中的高度关注度。市场情绪整体乐观，主要基于其广阔的市场空间和国产替代的宏大叙事。

预期差分析 (关键)

• “高增长”叙事 vs “价格战”现实: 市场普遍认知是蓝海市场，但天域半导体研报揭示价格正在急剧下滑。6英寸外延片均价从2022年的9631元降至2025年的3138元。行业为抢占份额已进入激烈“价格战”，盈利能力面临严峻考验，与市场普遍乐观预期存在显著温差。
• “全面开花”预期 vs “结构性分化”进展: 市场的宏大叙事可能掩盖了细分环节的短期压力。例如华虹半导体提到“高压MOSFET表现疲软”，表明即使在功率半导体大赛道内，不同产品的景气度也存在分化。
• “国产替代”的复杂性: 市场可能低估了国际巨头的竞争压力。英飞凌投资50亿欧元建设全球最大的200毫米SiC晶圆厂，并已获50亿欧元设计订单，表明国际龙头正通过规模和技术优势巩固护城河，国产替代之路并非坦途。