长鑫、长江产业链

国产存储芯片产业链的崛起与投资机遇分析

概念事件

背景:长鑫存储(CXMT)作为国内DRAM龙头,2025年启动IPO辅导(中金、中信建投保荐),叠加美国对华半导体限制升级(2025年5月拟将长鑫、长存、中芯国际子公司列入实体清单),催化国产存储产业链自主可控逻辑。

时间轴

2024年12月

长鑫量产DDR5芯片(良品率80%),技术追赶三星/海力士。

2025年5月

美国酝酿新一轮制裁,国产替代紧迫性提升。

2025年6月

长鑫HBM3样品通过测试,计划2026年量产,成为全球第四大HBM供应商。

2025年7月

IPO辅导备案完成,估值约1400亿元,国资(大基金二期、合肥产投)及产业资本(阿里、腾讯)入股。

核心观点摘要

阶段判断

长鑫产业链处于"政策催化+技术突破+资本加速"的三重共振期,从主题炒作向基本面驱动过渡

核心驱动力

海外DRAM供给收缩(三星/海力士退出DDR4)推动涨价(DDR4价格年内涨245%),长鑫产能翻倍(2024年10万片/月→2026年30万片/月)带动上游材料/设备需求。

核心逻辑与市场认知分析

核心驱动力

1

技术突破:长鑫HBM3样品通过认证,61层3D DRAM设计(绕开EUV限制)专利布局完成,技术代差缩小至1.5代(vs三星HBM3E)。

2

供需缺口:海外大厂退出DDR4,长鑫2025年市占率预计达8%(Counterpoint),产能缺口由国产链填补。

3

政策催化:美国制裁倒逼国产替代,合肥/北京/上海三地扩产(合肥二期3万片/月、金桥HBM产线140亿投资)。

市场热度与情绪

  • 研报密集度:中信证券、申万、东吴等机构7月集中发布12篇深度报告,推荐材料/设备标的。
  • 情绪分歧:乐观派(国产替代加速) vs 谨慎派(HBM量产良率风险、制裁升级)。

预期差

市场忽略点:长鑫IPO募资将优先用于先进封装(HBM需2.5D/3D封装),而非单纯扩产,芯源微/华海清科等设备商订单弹性被低估。

关键催化剂与未来发展路径

近期催化剂(3-6个月)

IPO进展

预计2025年Q4递交招股书,募资规模或超200亿元(参考中芯国际科创板募资532亿)。

HBM订单

2025年底向阿里/字节AI服务器交付HBM3样品,验证国产链可靠性。

政策落地

国产设备采购补贴细则(如上海临港对CMP设备补贴30%)。

长期路径

2025-2026

DDR5/HBM量产,市占率提升至15%(接近美光)。

2027-2030

3D DRAM商业化(长江存储Xtacking技术外溢),国产设备渗透率超50%

产业链与核心公司深度剖析

产业链图谱

上游材料

  • • CMP抛光液(安集科技)
  • • 前驱体(雅克科技)
  • • 电子特气(中船特气)

中游设备

  • • 刻蚀机(北方华创)
  • • CMP设备(华海清科)
  • • 涂胶显影(芯源微)

下游封测

  • • 长电科技(HBM封装)
  • • 通富微电(DRAM测试)

核心玩家对比

公司 业务关联 竞争优势 风险点
安集科技 CMP抛光液主供(长鑫份额8%) 台积电认证+国产替代唯一性 毛利率受原材料涨价压制
华海清科 CMP设备(长鑫订单占比17%) 12英寸设备量产,技术对标应用材料 美国技术管制升级
芯源微 HBM封测涂胶显影(份额13%) 国内唯一高端Track供应商 客户验证周期长
兆易创新 长鑫代工+参股(1.88%股权) NOR Flash龙头,DRAM代工关联交易12亿 消费电子需求疲软

数据印证

  • • 长鑫2025年资本开支70亿元(路演数据)
  • • 北方华创/中微公司Q2订单增速+40%(财报交叉验证)

矛盾点

部分研报预测HBM3良率超80%,但路演透露实际测试仅56%(海力士水平),量产或延迟。

关联股票数据

股票名称 行业 项目 产业链 关联原因
安集科技 半导体材料 CMP抛光液 长鑫存储产业链 化学机械抛光液市占率约8%,客户包括长江存储、长鑫存储等
雅克科技 半导体材料 前驱体 长鑫存储产业链 供应海力士前驱体占公司业务超50%,已成为长江存储、长鑫存储供应商
鼎龙股份 半导体材料 CMP抛光垫 长鑫存储产业链 国内唯一全面掌握CMP抛光垫全流程核心技术的国产供应商,客户包括长江存储、长鑫存储等
华海清科 半导体设备 CMP设备 长鑫存储产业链 长江存储、长鑫存储供应商
盛美上海 半导体设备 清洗设备 长鑫存储产业链 长江存储供应商
芯源微 半导体设备 涂胶显影设备 长鑫存储产业链 长江存储供应商
北方华创 半导体设备 刻蚀机/薄膜沉积设备 长鑫存储产业链 长江存储供应商
拓荆科技 半导体设备 薄膜沉积设备 长鑫存储产业链 长江存储供应商
深科技 封测 DRAM封测 长鑫存储产业链 DRAM出货量占20%份额,国内唯一高端存储封测公司
通富微电 封测 HBM封测 长鑫存储产业链 2023年全球市占率7.9%,与长鑫存储深度合作HBM
兆易创新 代销代工 NOR Flash 长鑫存储产业链 拟参与长鑫科技增资,2023年Serial NOR Flash市占率全球第二
江波龙 模组 存储模组 长鑫存储产业链 国内市占率第一的存储模组厂商,与长江存储、合肥长鑫建立合作关系
雅克科技 半导体材料 前驱体 长江存储产业链 供应海力士前驱体占公司业务超50%,已成为长江存储供应商
中船特气 电子气体 电子特气 长江存储产业链 电子特气收入占比超90%,长江存储重要客户
沪硅产业 半导体材料 硅片 长江存储产业链 半导体硅片市占率2.2%,与长江存储签订300mm硅片长期协议
立昂微 半导体材料 硅片 长江存储产业链 12英寸硅片产能持续放量,通过多家芯片制造企业认证
安集科技 半导体材料 CMP抛光液 长江存储产业链 化学机械抛光液市占率约8%,客户包括长江存储等
深科技 封测 DRAM封测 长江存储产业链 DRAM出货量占20%份额,国内唯一高端存储封测公司
江波龙 模组 存储模组 长江存储产业链 国内市占率第一的存储模组厂商,与长江存储建立合作关系

潜在风险与挑战

技术风险

3D DRAM横向刻蚀工艺良率低于预期(泛林集团模拟仅28层可行)。

商业化风险

HBM3需CoWoS封装产能,国内缺口50%(台积电产能被英伟达锁定)。

政策风险

美国若限制18nm以下设备出口,长鑫扩产或受阻(当前依赖ASML DUV)。

信息矛盾

申万预测2025年长鑫产能24万片/月,但路演透露金桥HBM产线仅3万片/月,存在规划与落地差距。

综合结论与投资启示

阶段判断

基本面驱动初期,HBM量产验证是分水岭(类似2020年长江存储128层NAND突破)。

高价值环节

材料端

雅克科技(前驱体全球市占率30%,长鑫+海力士双客户)。

设备端

芯源微(HBM封测设备稀缺性,2025年订单预期5亿元)。

跟踪指标

1

长鑫IPO募资用途(是否明确HBM产线投资)。

2

HBM3客户验证进度(阿里/字节订单落地时间)。

3

国产设备招标份额(北方华创/中微公司Q3订单占比)。

风险提示:若2025年Q4 HBM3良率未达60%,产业链估值或回调30%。

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