存储行业洞察报告

概念事件时间轴

2023Q4

三星/海力士/美光启动第二轮减产

NAND减产15-20%，DRAM减产10% → 供给收缩，价格底部确认

2024Q1

佰维存储/江波龙等模组厂库存减值风险出清

毛利率环比+13pct → 业绩拐点出现

2024Q2

华为发布磁电存储OceanStor Arctic

功耗降90%，2025H1上市 → 冷数据存储技术突破

2024Q3

长江存储Xtacking 4.0量产

密度+42%，寿命+33% → 国产3D NAND技术领先

2024Q4

长鑫存储启动上市辅导

2025年产能翻倍至36万片/月 → 国产DRAM资本化加速

2025Q1

闪迪/群联宣布NAND涨价10%+

4月1日起执行 → 行业进入涨价周期

2025Q2

AI眼镜爆发

Meta/闪极采用佰维ePOP存储 → 端侧AI存储需求验证

核心观点摘要

存储行业正处于"三重周期共振"的关键节点：供给收缩（减产）+需求爆发（AI/国产替代）+技术升级（HBM/3D NAND）。当前处于"周期底部右侧"，2025年将迎来量价齐升的戴维斯双击，国产厂商通过技术授权（长江存储→三星）和产能逆周期扩张实现弯道超车。

核心逻辑与市场认知分析

根本驱动力

1. 供给端硬约束

减产幅度：三星NAND减产20%（西安厂减产30%），海力士DRAM减产10%，全球产能利用率降至80%（2024Q4数据）。
技术切换成本：HBM3E产线占用DRAM产能30%，挤压传统DRAM供给（美光2025年HBM营收占比将达30%）。

2. 需求端三重引擎

AI服务器：HBM需求2025年达169亿美元（TrendForce），单机搭载量从80GB（H100）→288GB（B200）。
端侧AI：AI手机渗透率30%（2025年），单机存储容量+8GB（iPhone17 Pro Max升级至12GB）。
国产替代：存储模组国产化率从5%→25%（2024-2026），长鑫/长存产能释放填补缺口。

3. 技术代际红利

3D NAND：长江存储232层Xtacking 4.0成本比三星低30%，已获三星技术授权。
HBM：国内通富微电/长电科技突破TSV封装，2025年配套国产算力芯片。

市场认知偏差

预期差1：市场认为存储是"强周期"，忽视AI带来的成长性。HBM需求年增速60%+，本质是"周期嵌套成长"。
预期差2：低估国产技术输出。长江存储向三星授权混合键合技术，标志中国从"追赶者"→"规则制定者"。

催化剂与发展路径

近期催化剂（3-6个月）

价格信号：NAND Flash 256GB TLC现货价已反弹125%（2023Q4低点→2025Q1），模组厂库存周转天数降至180天（佰维存储）。
订单验证：
- 佰维存储Meta AI眼镜订单Q2放量（单机存储价值量$11-13）。
- 江波龙企业级SSD2025年营收目标翻倍（2024年9亿→2025年18亿）。
政策催化：长鑫存储科创板IPO（预计2025Q3），募资用于HBM产线建设。

长期路径（2025-2027）

2025: 涨价周期

2026: 国产替代加速

2027: 技术输出红利

全球份额: 中国DRAM 15%/NAND 10%

产业链与核心公司

产业链图谱

上游（晶圆）

长江存储（NAND）
长鑫存储（DRAM）
通富微电（HBM封装）

→

中游（模组/封测）

佰维存储（ePOP）
江波龙（企业SSD）
兆易创新（NOR Flash）

→

下游（应用）

Meta眼镜
阿里云
车载存储

核心玩家对比

公司	技术壁垒	订单验证	风险点
佰维存储	ePOP市占率80%（AI眼镜）	Meta/传音订单Q2确认	股权激励需200亿市值+50亿营收双重达标
江波龙	企业级SSD国内第一	阿里/腾讯核心供应商	库存周转260天高于行业平均
德明利	自研主控芯片（毛利率30%）	企业级SSD订单翻倍	消费级需求复苏不及预期
兆易创新	NOR Flash全球第二	车载NOR ASP提升3倍	3D DRAM研发进度滞后

验证与证伪

证真：佰维存储40亿库存×30%涨价=12亿利润弹性（路演数据）。
证伪：东芯股份8.5亿库存未减值，Q4亏损扩大显示需求复苏分化。

潜在风险

风险类型	具体表现	概率
技术瓶颈	HBM TSV良率<70%（通富微电）	中
需求波动	AI服务器资本开支若低于预期（2025年指引+20%）	高
政策风险	美国对华存储设备管制升级（2025年新增8类设备）	中
信息矛盾	研报预测2025年DRAM涨价20%，但现货价显示DDR4涨幅仅5%（2025Q1）	需跟踪

综合结论与投资启示

阶段判断

存储已从"主题炒作"（2023Q4）进入"基本面驱动"（2025Q1），涨价周期+国产替代构成核心逻辑。

投资优先级

弹性最大：佰维存储（AI眼镜+库存重估，2025年PE 25X vs 历史峰值60X）。
技术壁垒：通富微电（HBM封装唯一量产标的，2025年HBM收入占比30%）。
稳健配置：兆易创新（车载NOR ASP提升，2025年净利润3.5亿，PE 30X）。

关键跟踪指标

价格信号：NAND Flash 256GB现货价突破$4.5（当前$3.13）。
订单验证：佰维存储Q2营收>20亿（股权激励触发条件）。
产能落地：长鑫存储HBM3E量产（2025Q3验证）。

风险提示：若2025Q2消费电子复苏不及预期，涨价周期可能缩短至4-6个季度（历史周期6-8个季度）。