深度解析混合键合技术在HBM4、3D NAND等领域的应用前景与投资机会
2016年
长江存储启动混合键合研发（Xtacking 1.0）
2025年
Xtacking 5.0完成开发，三星/海力士导入量产
2026-2030年
HBM4/5、3D NAND、AI芯片全面渗透
混合键合技术已从实验室验证进入产业化爆发前夜，HBM4和3D NAND是核心落地场景
AI算力需求倒逼存储芯片堆叠层数增加，传统键合技术逼近物理极限，混合键合成为唯一解
2030年全球设备市场200亿元（CAGR 69%），国产替代空间巨大（当前国产化率<5%）
美国对华HBM技术管制（2024年12月BIS新规），加速国产设备验证
三星V10 NAND量产验证（2025年Q3）
若良率达标，将复制至海力士/美光，拉动W2W设备需求
HBM4标准确立（2025年Q2）
JEDEC明确混合键合为必选工艺，设备招标启动
国产设备验证节点（2025年Q4）
拓荆科技Dione 300在长江存储的16层堆叠HBM中试结果
2025-2026年
20亿→80亿元
HBM4/5、3D NAND规模化导入
2027-2030年
200亿元
Chiplet、CPO技术渗透
混合键合成为3D封装通用技术
| 公司 | 角色 | 进展 | 风险 |
|---|---|---|---|
| 拓荆科技 | 国产设备龙头 | Dione 300获长江存储复购，W2W+D2W全覆盖 | 验证周期长（12-18个月） |
| 迈为股份 | 追赶者 | 精度<100nm设备发布，对标EVG | 尚未获头部客户订单 |
| 百傲化学 | 参股设备商 | 芯慧联D2W设备已出货国内头部存储厂 | 持股比例低（10.48%），业绩弹性有限 |
| 鼎龙股份 | 材料供应商 | 临时键合胶首获百万订单，国产替代0→1 | 客户验证进度慢 |
良率瓶颈：混合键合需Ra<1nm表面粗糙度，当前国产CMP设备难以稳定达标
成本敏感：单台设备200万欧元，HBM厂商可能延缓采购至2026年
美国若限制EVG/SUSS设备出口，国产替代进程或加速，但短期产能受限
新闻称"三星采用长江存储技术"，但路演指出Xtacking专利授权仅限NAND，HBM领域仍存壁垒
混合键合处于主题炒作向基本面过渡阶段，2025年HBM4量产是分水岭
设备端
拓荆科技（技术验证最快）> 迈为股份（弹性大）
材料端
鼎龙股份（临时键合胶稀缺性）
2025年Q3
三星V10 NAND良率数据（验证技术成熟度）
2025年Q4
长江存储HBM4设备招标份额（国产替代进度）
风险提示
若HBM4量产延期或良率低于70%，设备需求可能下修50%
| 股票名称 | 分类 | 业务相关 | 信源 | 行业 |
|---|---|---|---|---|
| 拓荆科技 | 设备 | 晶圆对晶圆混合键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备获得重复订单并扩大产业化应用，芯片对晶圆混合键合产品已获得客户订单并出货 | 调研 | 半导体设备 |
| 迈为股份 | 设备 | 自主研发的全自动晶圆级混合键合设备交付国内客户 | 互动 | 半导体设备 |
| 快克智能 | 设备 | 正进行先进封装键合设备的研发，预计2025年完成样机开发 | 互动 | 半导体设备 |
| 百傲化学 | 设备 | 参股公司芯慧联（持股10.48%）主营业务之一为混合键合设备 | 公告 | 半导体设备 |
| 北方华创 | 设备 | 参股北京烁合键维设备公司，对混合键合等前沿技术方向保持高度关注 | 调研 | 半导体设备 |
| 同兴达 | 技术 | 持续研发混合键合等关键技术 | 调研 | 半导体技术 |
| 苏州固锝 | 技术 | 拥有完整的半导体封装测试技术，掌握了混合键合技术 | 年报 | 半导体技术 |
| 华润微 | 技术专利 | 异构集成方式制造MEMS产品及其技术研发涉及混合键合技术 | 年报 | 半导体技术 |
| 赛微电子 | 技术专利 | 热压和共晶混合键合（发明专利） | 年报 | 半导体技术 |
| 华天科技 | 技术专利 | 基于混合键合的晶圆级CMOS图像传感器三维集成技术研究 | 公告 | 半导体技术 |
| 江波龙 | 耗材 | 子公司元成苏州具备多层封装、混合键合封装技术的量产能力 | 互动 | 半导体耗材 |
| 安集科技 | 耗材 | 混合键合抛光液 | 年报 | 半导体耗材 |
| 天承科技 | 耗材 | 公司研发混合键合工艺等相关添加剂产品和应用技术，目前正努力推广中 | 年报 | 半导体耗材 |
| 微导纳米 | 其他 | 公司iTronixLTP系列低温等离子体化学气相沉积系统，适用于混合键合的介电层 | 公告 | 半导体设备 |