碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN) - 引领下一代电子革命
第三代半导体以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表，具有宽禁带特性（SiC禁带宽度3.26eV，GaN 3.4eV），可承受更高电压、温度及频率，成为新能源汽车、5G、光伏等领域的核心材料。
50亿美元
2025年SiC器件市场
123亿元
全球SiC衬底市场
2024年11月
商务部推动国家第三代半导体技术创新中心（苏州）高质量发展
2025年2月
中国太空成功验证首款国产SiC功率器件
2025年5月
天科合达借壳天富能源预期升温，估值或达400亿+
2025年6月
上海发布《新材料产业方案》，支持SiC/GaN攻关
第三代半导体已从主题炒作进入基本面驱动阶段，政策、技术、需求三重共振
新能源车渗透率提升 + 国产替代加速（国内衬底市占率从9%向30%突破）
SiC衬底市场CAGR 24%，GaN射频器件市场CAGR 25%
| 公司 | 环节 | 优势 | 风险 | 估值 |
|---|---|---|---|---|
| 天科合达 | 衬底 | 国内唯一6英寸量产，市占率12.8% | IPO失败后借壳不确定性 | 未上市（预期400亿） |
| 天岳先进 | 衬底 | 8英寸研发领先，客户绑定英飞凌 | 良率低于Wolfspeed | PE 50x |
| 斯达半导 | 器件 | 车规SiC模块龙头，比亚迪核心供应商 | 竞争加剧（士兰微追赶） | PE 35x |
| 三安光电 | 外延 | 与ST合资8英寸产线，技术授权费收入 | 产能爬坡不及预期 | PE 25x |
| 股票名称 | 项目类型 | 所属行业 | 投资理由 |
|---|
技术风险
8英寸衬底缺陷密度仍高于海外（1000/cm² vs 500/cm²）
商业化风险
SiC器件成本为硅基3倍，中低端车型渗透需2026年后
政策风险
美国或限制SiC衬底出口（Wolfspeed占全球49%）
阶段判断
第三代半导体处于"技术突破+需求爆发"的拐点，非主题炒作
投资方向
第三代半导体是2025年半导体板块最确定的成长赛道，天科合达借壳事件或成为引爆点。