CONCEPT INSIGHT
核心观点摘要
功率半导体正处于周期性复苏与结构性成长共振的关键节点。其核心驱动力已从传统的消费电子、工业控制，转向由AI数据中心和新能源汽车800V架构引领的高成长赛道。未来潜力在于第三代半导体（SiC/GaN）的渗透率提升与国产替代的深化，但需警惕大规模产能扩张带来的潜在过剩风险。
关键催化剂
- AI芯片迭代：英伟达新一代GPU对SiC/GaN供电方案的需求。
- 800V车型放量：中低价位800V车型大规模销售，验证SiC模块成本与市场接受度。
- 国产替代落地：安世事件等带来的实质性转单在财报中兑现。
- IGBT价格回升：行业性提价信号，确认盈利能力修复。
潜在风险与挑战
- 产能过剩：国内外巨头大规模扩产，可能引发远期价格战。
- 需求不及预期：汽车、光伏等下游需求疲软或增速放缓。
- 技术瓶颈：国产SiC衬底良率和成本仍是核心制约。
- SiC渗透预期差：商业化路径曲折，市场可能高估短期替代速度。
核心逻辑与市场认知
能源效率革命 (技术驱动)
AI服务器（降低PUE）与新能源车（提升续航/快充）对更高功率密度的电能转换提出刚性需求，SiC/GaN是实现技术飞跃的物理基石。
供应链安全 (政策与市场驱动)
地缘政治事件（如安世出口受限）倒逼下游厂商加速导入“国产第二供应商”，为国内企业打开高端市场大门，构成确定性极高的替代逻辑。
周期性复苏 (市场驱动)
传统消费、工控市场经历近两年库存消化后逐步回暖，行业处于“底部右侧”，为结构性成长提供了良好的宏观环境。
预期差分析
【预期差一】SiC渗透速度与盈利现实：市场普遍渲染SiC爆发式增长，但路演揭示其渗透速度低于预期，2025年价格“腰斩”，行业进入洗牌期。市场可能高估了SiC短期盈利能力。
【预期差二】“全面复苏”与“结构分化”：市场普遍预期全面复苏，但现实是AI服务器需求“特别猛”，而汽车、光伏储能则“回落超预期”或“熄火”。复苏极不均衡，需精准布局。
【预期差三】产能扩张的“双刃剑”效应：市场视大规模建厂为景气体现，但路演明确提示“新增产能可能抑制价格”。当前产能竞赛可能在未来1-2年内演变为激烈价格战，市场或低估了远期盈利压制。
DATA VISUALIZATION
中国新能源车IGBT模块市场份额 (2024.07)
中国功率半导体市场规模
SUPPORTING DATA
技术与产品动态
- 东京大学：开发传感器电路，使功率半导体切换时功耗降低最高30%。
- 安森美 (onsemi)：推出垂直氮化镓(vGaN)，采用GaN-on-GaN技术，能量损耗减少近50%，提供700V/1200V样品。
- 英飞凌 (Infineon)：发布全球最薄20μm硅功率晶圆，厚度仅为前代一半，已应用于智能功率级产品。
- 中国空间技术：成功在太空验证首款国产碳化硅(SiC)功率器件，有望牵引航天电源升级。
- SiC趋势：800V架构汽车渗透率提升，预计2025-2030年SiC进入大规模推广期。
企业动态与产能扩张
- 英飞凌：马来西亚新晶圆厂启动运营，目标建成全球最大200mm SiC功率半导体晶圆厂。
- 闻泰科技 (安世)：中国首座12英寸车规级功率半导体fab项目(鼎泰匠芯)预期25年产能满载。
- 时代电气：投资9.46亿元建设中低压功率组件项目，年产500万只。
- 扬杰科技：SiC车规级功率半导体模块封装项目开工，聚焦第三代半导体。
- 智新半导体：2024年产线满负荷，年产量同比增长两倍多，将投建第三条产线。
市场趋势与供需
- 行业周期：自23年下行周期后，各环节库存见底，行业逐步转入上行，消费、工控市场复苏。
- 价格影响：安世东莞封测厂出口限制，短期或造成相关产品价格上涨，加速国产替代。IGBT产品价格经历调整后，在需求回暖和铜价上涨背景下，短期有望上涨。
- 需求驱动：新能源汽车(800V)、储能、AI数据中心(AIDC)成为三大核心驱动力。英伟达发布800V DC架构白皮书，确认AIDC对大功率IGBT/SiC需求。
- IDM模式优势：上行周期中，集成设计+制造的IDM企业在产能和价格上更具优势。
核心标的池
功率器件核心公司
| 分类 | 股票名称 | 核心逻辑/原因 |
|---|---|---|
| MOSFET | 华润微 (688396) | A股第一，中国市场市占率9% |
| 士兰微 (600460) | A股第二，中国市场市占率4.85% | |
| 新洁能 (605111) | A股第三，中国市场市占率3.76% | |
| 闻泰科技 (600745) | A股第四，旗下安世半导体中国市场市占率约3.64% | |
| 立昂微 (605358) | 主要产品包括6英寸MOSFET芯片 | |
| 上海贝岭 (600171) | 屏蔽栅功率MOSFET和超级结功率MOSFET产品 | |
| 芯联集成 (688469) | SiC MOSFET芯片及模组出货量稳居亚洲前列 | |
| 东微半导 (688261) | 超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET在12英寸晶圆基地扩容 | |
| 锴威特 (688693) | 形成全系列功率MOSFET产品，已推出650V-3300V SiC MOSFET系列 | |
| IGBT | 士兰微 (600460) | 分立式IGBT国内第一，全球市占率3.4% (2022年数据) |
| 斯达半导 (603290) | IGBT模块市占率国内第一，全球市占率4.3% (2022年数据) | |
| 时代电气 (688187) | IGBT模块市占率国内第二，全球市占率4.1% (2022年数据) | |
| 新洁能 (605111) | 主要从事MOSFET、IGBT等半导体功率器件及功率模块 | |
| 东微半导 (688261) | TGBT系列IGBT产品 | |
| 宏微科技 (688711) | IGBT等产品线齐全，是华虹宏力1700V平台及RCIGBT平台的首批客户 | |
| *ST华微 (600360) | 全力推进新一代IGBT及IPM模块、中低压MOS、超结MOS等系列产品 | |
| 皇庭国际 (000056) | 依托意发功率聚焦MOSFET、IGBT等功率半导体产品 | |
| 扬杰科技 (300373) | 在8吋、12吋平台完成650V/1200V IGBT芯片全系列开发并批量出货 |