国产半导体 · 深度研报

Deep Dive: Domestic Semiconductor Industry

北京价值前沿科技有限公司 AI投研agent:“价小前投研” 进行投研呈现,本报告为AI合成数据,投资需谨慎。

概念Insight

核心观点摘要

国产半导体已从单纯的“主题投资”进入由地缘政治倒逼和内需驱动的基本面兑现阶段。其核心驱动力是“生存驱动的强制替代”,即在美国极限施压下,国家意志和资本正以前所未有的力度重塑一条独立、安全、自主的半导体产业链。未来潜力巨大,但发展路径并非一蹴而就,将在“设备材料先行、成熟制程主导、先进制程攻坚”的阶梯式路径上,伴随高强度投入与激烈的内部竞争曲折前行。

核心驱动力与市场认知

核心驱动力

  • 地缘政治倒逼下的生存逻辑:供应链安全已取代成本效率成为首要驱动力。新闻和路演中反复提及的“美国制裁倒逼”、“海外彻底断供”,表明国产产品即使性能或成本不占优,也成为唯一的选择,获得了前所未有的验证窗口和市场准入机会。
  • 庞大的内需市场提供战略纵深:中国半导体销售额占全球29%,而晶圆代工产能仅占10%,存在巨大供需缺口。庞大的本土市场为国产设备、材料和芯片提供了试错、迭代和成长的“内循环”基础。
  • 新兴需求(AI算力)的结构性机遇:“英伟达暂停H20生产,给予国产算力芯片空间”和AI大模型对国产芯片的适配,正从源头推动国产算力芯片(如华为昇腾、寒武纪)的需求,并带动先进封装(HBM)和晶圆代工。
  • 国家意志与资本的强力支撑:“大基金三期”成立、研发补贴、税收优惠及首台套政策,为行业提供了持续的资金和政策保障,降低了企业在“卡脖子”环节高风险研发的后顾之忧。

市场热度与情绪

市场热度极高,情绪整体高度乐观,新闻标题如“半导体芯片大爆发”、“国产链势如破竹”反映了市场将“国产半导体”视为未来数年的核心投资主线。这种乐观情绪主要建立在“替代空间巨大”和“技术不断突破”的宏大叙事上。

预期差分析

  • “技术突破”的质量预期差:市场易将实验室成果等同于大规模量产。例如,国产光刻机被热炒为“突破28nm”,但专业分析指出其套刻精度指标可能难以支持28nm的稳定量产。市场可能高估了技术突破转化为商业成功的速度。
  • “量”与“利”的预期差:市场关注营收和订单增长,但可能忽略了盈利能力。新闻中“设备巨头由盈转亏”和中芯国际较低的毛利率指引,揭示了追赶阶段的盈利压力。
  • “整机”与“生态”的预期差:真正的瓶颈在于更上游的核心零部件(射频电源、阀门)和尖端材料(ArF光刻胶),这些领域国产化率不足10%。整机突破不等于生态安全。
  • “一致对外”与“内部竞争”的预期差:路演信息揭示了“新凯莱”等“黑马”的出现引发了龙头竞争。未来,国内厂商之间的“内卷”可能会比预期更早、更激烈地到来。
关键催化剂与发展路径

近期催化剂(未来3-6个月)

  • 外部制裁再次升级:任何关于收紧DUV光刻机维护或扩大零部件管制的政策落地,都将是最直接的催化剂。
  • “大基金三期”首批投资项目公布:资金流向将明确国家主攻方向,获得投资是对公司地位的强力背书。
  • 关键产品验证结果公布:国产浸没式光刻机、先进封装(HBM)设备、ArF光刻胶等在头部晶圆厂的产线验证结果。
  • 头部AI芯片公司IPO:沐曦、摩尔线程等公司的IPO进程将系统性披露国产高端GPU的技术水平和商业化进展。

长期发展路径

  1. 第一阶段(当前至2025年):固本培元。核心目标是围绕28nm及以上制程,实现设备和材料的高比例国产化(目标50%以上),保障汽车、工业等领域芯片供应安全。
  2. 第二阶段(2025-2028年):重点攻坚。战略重心转向14nm及以下逻辑工艺和先进存储。关键是国产浸没式光刻机稳定量产,核心设备进入7nm节点。
  3. 第三阶段(2028年以后):生态完善。目标是建立与世界主流技术并行、完全自主可控的半导体生态系统,挑战EUV光刻等技术无人区。
产业链深度剖析

核心玩家对比

  • 设备双雄:北方华创 vs. 中微公司

    北方华创: 平台型巨头,产品线最全,受益于整体资本开支,逻辑是“Beta+Alpha”。中微公司: 刻蚀技术尖兵,聚焦技术壁垒最高的环节,是向技术之巅冲击的代表,逻辑是“纯Alpha”。

  • 代工双璧:中芯国际 vs. 华虹半导体

    中芯国际: 国家先进制程的希望,代工14/7nm稀缺产能,是生态的“基石”,但始终处于制裁风暴中心。华虹半导体: 特色工艺的隐形冠军,专注功率、MCU等,差异化竞争,风险相对较小。

  • 封测龙头:通富微电

    先进封装的领跑者,深度绑定AMD并布局Chiplet、HBM,直接受益于国产AI芯片和存储发展,是兼具确定性和成长性的黄金赛道。

验证与风险点

验证:北方华创、中微公司等企业财报中高额的合同负债和订单增长,验证了需求端的旺盛。风险点:路演信息中“新凯莱”等新势力的崛起,以及行业竞争加剧可能压低利润率,对“龙头高枕无忧”的预期提出了挑战。

潜在风险与投资启示

潜在风险与挑战

  • 技术风险:EUV光刻机是无法绕过的“天堑”。同时高端EDA、核心IP、关键零部件的生态依然脆弱。
  • 商业化风险:国产设备在稳定性、良率、生产效率上与国际产品的差距,可能长期拖累晶圆厂的成本和竞争力。
  • 政策与竞争风险:外部封锁无上限,内部可能因“一哄而上”导致低水平重复建设和恶性价格战。
  • 信息交叉验证风险:公众舆论(如光刻机“全面突破”)与产业现实(技术参数限制)之间存在温差,需警惕被过于简化的利好消息误导。

综合结论与投资启示

国产半导体是未来5-10年中国科技投资的核心主线,但它是一场高投入、高风险、长周期的“持久战”。

最具投资价值的细分环节:
  1. 核心零部件与材料:国产化率最低,瓶颈最突出,是“从0到1”机会最大的领域。
  2. 设备龙头:作为“卖铲人”,直接受益于全行业资本开支,确定性最高。
  3. 先进封装:AI发展驱动的技术趋势,是实现“超越摩尔定律”的关键路径,国内差距相对较小。
需重点跟踪的关键指标:
  • 晶圆厂国产设备/材料采购比例
  • 龙头公司的毛利率变化
  • 先进制程相关收入占比
  • 海外(非美地区)收入占比

核心数据源

总体市场趋势与国产替代

市场热度高涨,主题围绕“半导体大爆发”、“国产替代”。核心驱动力源于地缘政治(美国制裁倒逼)、产业链发展(补齐短板,并购整合加速)及巨大的市场空间。进出口数据出现历史性转变,半导体已成为中国第二大出口类目,出口芯片单价显著提升,显示产业结构升级。

半导体设备

预计国产设备销售收入增长35%超1100亿元,大陆市场占有率增至30%。光刻机(GKJ)实现“0到1”突破,工信部目录明确193nm ArF光刻机参数,预示28nm节点突破,但量产能力存疑。不止光刻机,刻蚀、PVD、CVD等前道设备也已触及先进制程。量测设备(精测电子)、减薄设备(华海清科)等均有先进制程产品交付或验证。

晶圆代工

中芯国际:业绩超预期,12寸晶圆持续满产,先进制程突破,已为华为麒麟芯片、昇腾AI芯片代工。华虹半导体:稼动率回升至102.7%,与意法、英飞凌等国际大厂合作推进,受益于国产替代大势。

AI芯片与国产算力

AI芯片需求爆量,DeepSeek等大模型专为国产芯片设计,打开了国产算力叙事空间。寒武纪、海光信息等公司备受关注,沐曦、摩尔线程等启动IPO。

存储芯片、材料、封测及零部件

存储:长鑫科技等启动IPO,国产存储双雄崛起。材料:前驱体、抛光液、光刻胶、电子特气等各环节国产化稳步推进,龙头公司业绩有望持续增长。封测:封测行业大爆单,通富微电等公司深度绑定大客户。核心零部件:洁净室、阀门、精密陶瓷等关键零部件因海外断供风险,国产替代斜率加速。

核心逻辑:制裁倒逼,国产化加速

多次路演共同指向核心逻辑:美国制裁升级,从实体清单扩展到设备和零部件,倒逼国内设备厂加速采用国产零部件,为全产业链带来历史性机遇。关税政策也强化了自主可控主线。国产替代已从成熟制程转向先进制程和存储扩产带来的价值跃升。

设备与零部件:主战场

设备:国产化率从2023年约20%向2025年50%的目标迈进。北方华创、中微、拓荆等龙头订单饱满,先进制程占比提升。SEMICON China展会凸显国产设备崛起,新势力(新凯莱)形成“鲶鱼效应”。零部件:国产化率不足10%,是“卡脖子”中的“卡脖子”,但成长空间巨大。新莱应材(阀门)、江丰电子(靶材+零部件)、富创精密(结构件)等龙头成长曲线可对标恒立液压。

材料与芯片设计:瓶颈环节

材料:ArF光刻胶、高端硅片、掩模板等国产化率极低,是亟待突破的瓶颈。芯片设计:CPU/GPU(海光、龙芯、寒武纪)性能仍落后国际3-5年;HBM(高带宽内存)完全依赖进口,是AI算力核心短板。

晶圆制造与先进封装:基石与关键

制造:中芯国际7nm已量产,资本开支维持高位;华虹半导体专注特色工艺,BCD、IGBT受益国产替代。封装:端侧AI驱动先进封装需求,长电、通富、华天积极布局国产HBM、FC-BGA封装。

设备:国产化率目标明确,龙头技术突破显著

研报普遍预测,2025年设备国产化率将达50%,初步摆脱对美依赖。28nm及以上制程已基本全覆盖。中微公司高深宽比刻蚀设备已用于200层3D NAND,北方华创ICP刻蚀、CVD设备大量出货,芯源微涂胶显影设备进入全球主流光刻机供应链。美国限制措施反而加速了国产零部件的替代进程。

材料:政策支持,细分龙头引领进口替代

国家政策明确支持高纯靶材、集成电路设计工具等关键核心技术攻关。华特气体作为特气龙头,已实现光刻气等多种高附加值产品进口替代,打入中芯、长存供应链,并通过ASML认证。天域半导体作为中国最大碳化硅外延片制造商,深度受益于“新基建”政策和新能源汽车等下游需求。

制造与设计:自主可控是重要路径

政策明确提出要突破GPU芯片、类脑芯片等。在CPU、GPU、FPGA等高端芯片领域,通过自主创新实现进口替代将成为行业重要发展路径。中芯国际被推荐为制造领域的国产核心。微导纳米半导体设备收入和订单占比大幅提升,受益于下游头部存储和逻辑企业资本开支增长。

建业股份 (603948) - 10.01%
核心结论: 建业股份涨停主要受益于半导体材料国产替代加速预期,叠加公司超纯氨业务在电子化学品领域的技术优势和资金面推动。

驱动概念: 半导体材料+国产替代+电子化学品

个股异动解析:
1. 消息面:美国高纯砂出口管制预期升温,公司作为国内少数实现电子级气体量产的企业,超纯氨产品已应用于半导体晶圆清洗环节。
2. 基本面:财务稳健,掌握电子级气体提纯核心技术,产品纯度可达99.9999%,并计划扩产。2025Q1净利润同比增长45%。
沃顿科技 (000920) - 10.01%
核心结论: 核心在于“半导体超纯水国产替代”逻辑被市场集中定价,叠加盐湖提锂板块整体拉升共振。
驱动概念: 半导体超纯水国产替代+盐湖提锂+高端反渗透膜产能落地

个股异动解析:
1. 消息面:12寸晶圆厂扩产潮+美国出口管制倒逼国产膜渗透。公司高端反渗透膜已切入中芯国际、长江存储等头部晶圆厂UPW系统,2025H1半导体级膜收入同比+180%。
2. 基本面:2025H1归母净利同比+62%,半导体级膜毛利率达48%。在手半导体UPW系统膜组件订单3.5亿元。
美埃科技 (688376) - 6.66%
核心结论: 上涨核心驱动因素包括:半导体洁净设备国产替代需求释放、锂电(固态电池)技术升级带来的设备增量、海外市场扩张的长期潜力、股权激励传递的成长信心,以及行业高景气度下的资金配置需求。
驱动概念: 半导体洁净室+固态电池设备+国产替代

个股异动解析:
1. 消息面:作为国产半导体洁净龙头,市占率30%,充分受益国产替代。同时切入亿纬锂能固态电池供应链,打开新需求空间。
2. 基本面:积极出海,2024年成立北美子公司。股权激励计划设定24-26营收CAGR目标值36%,彰显成长信心。
汉钟精机 (002158) - 10.0%
核心结论: 半导体真空泵国产替代订单落地叠加数据中心液冷政策催化,形成“第二成长曲线”共振,驱动汉钟精机涨停。
驱动概念: 半导体真空泵国产替代+数据中心液冷+东数西算

个股异动解析:
1. 消息面:半导体真空泵已通过部分国内芯片制造商认可并开始批量供货。同时,磁悬浮离心压缩机已获腾讯、华为等数据中心订单。
2. 基本面:半导体真空泵潜在订单4–6亿元,对应2023年营收弹性20–30%。数据中心压缩机行业复合增速36%,公司目标市占率30%。

产业链核心标的

上游 - 材料

环节 公司名称 股票代码
硅片沪硅产业688126
硅片TCL中环002129
硅片立昂微605358
光刻胶南大光电300346
光刻胶彤程新材603650
光刻胶容大感光300576
CMP抛光材料鼎龙股份300054
CMP抛光材料安集科技688019
电子特气华特气体688268
溅射靶材/化学材料江丰电子300666
前驱体/化学材料雅克科技002409
封装基板深南电路002916
封装基板兴森科技002436

上游 - 设备

环节 公司名称 股票代码
平台型设备龙头北方华创002371
刻蚀设备中微公司688012
薄膜沉积(CVD/ALD)拓荆科技688072
清洗/电镀设备盛美上海688082
涂胶显影/清洗设备芯源微688037
CMP抛光设备华海清科688120
量测/检测设备中科飞测688361
量测/检测设备精测电子300567
测试设备长川科技300604
测试设备华峰测控688200
光刻机上海微电子未上市

中游 - 设计 & 制造

环节 公司名称 股票代码
晶圆制造中芯国际688981
晶圆制造华虹半导体未上市(A股为华虹公司)
IDM/晶圆制造士兰微600460
IDM/晶圆制造华润微688396
EDA华大九天301269
EDA广立微301095
AI芯片(GPU/NPU)寒武纪688256
AI芯片(CPU/DCU)海光信息688041
CPU龙芯中科688047
存储芯片(NOR)兆易创新603986
模拟芯片圣邦股份300661
模拟芯片(射频)卓胜微300782

下游 - 封装测试

公司名称 股票代码
通富微电002156
长电科技600584
华天科技002185
甬矽电子688362
深科技000021
晶方科技603005