全球领先的氮化镓(GaN)半导体功率器件研发与制造商
英诺赛科是全球最大的量产8英寸氮化镓(GaN) IDM企业，专注于GaN半导体功率器件研发与制造。公司拥有95%以上的GaN晶圆良率，技术处于全球领先地位。
公司产品广泛应用于多个高增长领域，包括数据中心（为英伟达提供800V DCDC电源芯片）、汽车电子（新能源汽车电源系统）和消费电子（快充电源）等新兴应用领域。
英诺赛科已进入英伟达供应链，为其AI数据中心提供关键电源芯片。同时与安克创新、台达、光宝、长城、维谛技术等行业领先企业建立了稳定的合作关系。
公司在苏州和珠海建有生产基地，其中苏州工厂已完成扩产，实现了8英寸氮化镓晶圆的大规模量产，为满足快速增长的市场需求提供了有力保障。
| 股票名称 | 分类 | 合作项目 | 消息来源 | 关联原因 |
|---|---|---|---|---|
| 宏微科技 | 供应商/合作伙伴 | 采购英诺赛科的氮化镓(GaN)外延片，用于自研GaN功率器件 | 网传纪要 | 公司向宏微科技供应GaN外延片用于功率器件研发 |
| 英诺激光 | 供应商/合作伙伴 | 子公司NU OPTO INC.向英诺赛科供应激光加工设备，用于GaN晶圆切割 | 网传纪要 | 子公司提供激光设备用于GaN晶圆切割 |
| 北方华创 | 供应商/合作伙伴 | 互动称英诺赛科是公司客户，或提供刻蚀、沉积等关键工艺设备 | 互动 | 北方华创为英诺赛科提供半导体设备 |
| 盛剑科技 | 供应商/合作伙伴 | 半导体制造企业客户包括中芯国际、英诺赛科等 | 互动 | 盛剑科技为英诺赛科等企业提供半导体设备 |
| 凯德石英 | 供应商/合作伙伴 | 2021年1-6月新增客户包括英诺赛科（珠海），下游产品类型氮化镓衬底集成电路 | 招股说明书 | 凯德石英向英诺赛科供应氮化镓衬底材料 |
| 华特气体 | 供应商/合作伙伴 | 英诺赛科珠海是公司客户，已供20多种产品。作为英诺赛科的生产线的苏州公司，目前已有订单 | 互动 | 华特气体为英诺赛科供应特种气体 |
| 正帆科技 | 供应商/合作伙伴 | 向英诺赛科供应8英寸氮化镓生产项目，服务内容为气体供应系统 | 公告 | 正帆科技为英诺赛科提供气体供应系统 |
| 江苏神通 | 供应商/合作伙伴 | 公司国际半导体展台负责人表示已经给英诺赛科实现批量供货，互动表示已进入样机验证阶段，已有小批量订单 | 互动 | 江苏神通向英诺赛科批量供货 |
| 圣晖集成 | 供应商/合作伙伴 | 提供英诺赛科(苏州)半导体全产业链洁净室工程服务 | 公告 | 圣晖集成为英诺赛科提供洁净室工程服务 |
| 安克创新 | 客户/应用方 | 采用英诺赛科GaN芯片开发快充电源(如AnkerNano系列) | 公开资料 | 安克创新使用英诺赛科GaN芯片开发快充产品 |
| 太龙股份 | 客户/应用方 | 子公司博思达与英诺赛科存在氮化镓芯片方案沟通，尚未形成实质性订单，市场推广处于初期阶段 | 互动 | 太龙股份与英诺赛科在氮化镓芯片方案上有合作意向 |
| 长电科技 | 客户/应用方 | 承接英诺赛科GaN器件的DFN5X6、QFN封装及测试业务 | 网传纪要 | 长电科技为英诺赛科提供封装测试服务 |
| 中恒电气 | 产业链协同 | 公司面向数据中心等应用场景提供HVDC电源，800V巴拿马电源单柜价值200万元 | 公开资料 | 中恒电气为英诺赛科提供HVDC电源 |
| 铭普光磁 | 产业链协同 | 成功研发4KW图腾柱无桥电路PFC电感并与英诺赛科INN650TA030AH芯片配套开发 | 互动 | 铭普光磁与英诺赛科芯片配套开发电源产品 |
| 天壕能源 | 股权相关 | 2500万元认缴出资紫荆资本2.27%，其通过湖南华业天成间接持有英诺赛科股权 | 互动 | 天壕能源通过紫荆资本间接持有英诺赛科股权 |
| 士兰微 | 氮化镓 | 公司完成了多项特色制造工艺技术研发和升级，主要为GaN功率器件等 | 互动 | 士兰微研发GaN功率器件 |
| 三安光电 | 氮化镓 | 湖南三安的碳化硅产品已实现向台达、光宝、长城、维谛技术等数据中心及AI服务器电源客户供货，拥有硅基氮化镓产能2000片/月 | 互动 | 三安光电向英诺赛科等客户供应碳化硅产品 |
| 金盘科技 | 其他 | Azure凤凰城项目首批交付48台8000kVA变压器（单价超450万元，毛利率55%） | 公开资料 | 金盘科技为英诺赛科项目提供变压器 |
| 盛弘股份 | 其他 | 维谛、台达icon等将推出新一代高压800V-HVDC，公司与Verti合作或给出系统集成方案 | 公开资料 | 盛弘股份与英诺赛科合作HVDC系统 |
| 科华数据 | 其他 | 现阶段约占国内HVDC市场10%左右，公司在北美干式变压器市场占有率高 | 公开资料 | 科华数据在HVDC市场有较高占有率 |
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，具有高效率、高频率、高功率密度等优势，在5G通信、新能源汽车、数据中心等新兴领域有广泛应用前景。随着全球对节能减排和高效能源利用的需求增长，GaN器件市场预计将保持高速增长。
英诺赛科作为全球领先的GaN IDM企业，拥有完整产业链布局和技术领先优势。公司已进入英伟达等头部客户供应链，产品在数据中心、汽车电子等高增长领域有广泛应用，未来成长空间广阔。
公司2024年营收达8.28亿元，同比增长39.8%，显示出良好的成长性。毛利率从-61%改善至-19.5%，虽然尚未盈利，但盈利能力持续改善，预计未来将实现盈利拐点。
作为GaN领域的龙头企业，英诺赛科享有一定的估值溢价。考虑到公司在行业中的领先地位、技术优势以及高增长潜力，其相关概念股在市场上有较高的关注度和投资价值，尤其是直接与公司有业务往来的供应商和合作伙伴。
半导体行业技术更新迭代速度快，若公司无法持续保持技术领先优势，或GaN技术被其他技术路线替代，将影响公司的市场竞争力。同时，GaN晶圆生产过程中可能面临工艺波动，影响产品一致性。
尽管公司已绑定英伟达等头部客户，但汽车电子、数据中心等新兴领域的客户导入速度可能慢于预期。汽车电子客户需要经过漫长的认证流程，若无法按计划实现量产，将影响收入增长预期。
GaN赛道吸引多家企业入局，如三安光电、士兰微等，可能导致市场竞争加剧，压缩公司的毛利率空间。同时，国际巨头如英飞凌等也在积极布局GaN领域，未来竞争将更加激烈。
半导体行业受地缘政治、出口管制等因素影响较大。中美贸易摩擦、美国对中国半导体设备的限制等政策变化，可能对公司的供应链稳定性和国际业务拓展产生不利影响。