磷化铟概念分析

2025年8月

磷化铟(InP) - 半导体新材料投资机会

磷化铟是一种重要的III-V族化合物半导体材料,在光通信、射频器件、激光雷达等领域应用广泛。当前,技术突破与市场需求共振,国产化进程加速与AI驱动的光模块升级构成双重驱动力,预计将迎来3-5年的高景气周期。

光通信 AI算力 国产替代 量子计算

市场增长预期

年复合增长率 12%+

磷化铟概念事件时间轴

2025年2月4日

出口管制

中国商务部、海关总署联合发布公告,决定对钨、碲、铋、钼、铟相关物项实施出口管制,引发对铟资源供应的关注

2025年6月11日

政策支持

云南省人民政府办公厅印发《云南省专精特新企业倍增三年行动计划(2025—2027年)》,明确提出做大做强铟、锗、铂为主的稀贵金属新材料产业,发展磷化铟等

2025年6月30日

市场供需

台湾经济日报报道,AI高速运算原材料磷化铟大缺货,下游买家称"有多少(料)就收多少,价格不是问题",引发市场对磷化铟的关注

2025年8月19日

技术突破

九峰山实验室宣布在磷化铟材料领域取得重要技术突破,成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺,关键性能指标达到国际领先水平

2025年8月19日

量产突破

云南锗业发布公告,子公司云南鑫耀联合九峰山实验室攻克6英寸磷化铟单晶片量产技术,外延均匀性指标达国际领先水平

2025年8月20日

应用进展

市场消息称,拥有国内独家磷化铟晶圆加工产线的公司800G硅光模块通过行业标准测试

核心观点摘要

技术突破

九峰山实验室与云南鑫耀成功攻克6英寸磷化铟单晶片量产技术,打破海外垄断,推动国产光芯片成本降至3英寸的60%-70%

需求爆发

AI高速计算推动数据中心光模块向1.6T/3.2T迭代,磷化铟晶圆严重缺货,需求年增长30%以上

政策支持

云南省和珠海市相继出台政策支持磷化铟等化合物半导体材料产业发展,出口管制强化国内产业链战略地位

产业链与核心公司

产业链图谱

上游:原材料

铟资源、磷源

代表企业:锡业股份、华锡有色等

中游:制造加工

衬底材料、外延片、光芯片

代表企业:云南锗业、源杰科技等

下游:应用

光模块、量子计算、激光雷达

代表企业:中际旭创、海信宽带等

市场前景

国产替代空间超500亿元

年复合增长率12%+

核心玩家对比

云南锗业 (002428.SZ)

国内唯一具备6英寸InP量产能力的厂商,持股云南鑫耀56%,直接受益于磷化铟产业发展

技术领先 上游核心 逻辑纯粹

源杰科技 (688498)

国内磷化铟光芯片龙头,市占率约30%,深度绑定国内头部光模块厂商

中游龙头 客户稳定 良率高

磷化铟概念相关股票

股票名称 分类 细分 公司介绍 来源
云南锗业 磷化铟晶片 云南锗业 持股云南鑫耀56%股份。公司目前磷化铟晶片产能为15万片/年(2-4英寸),2024年生产6.44万片(2-4英寸),2025年计划生产8.3万片(2-6英寸),公司称主系光通信市场景气度提升 互动
跃岭股份 产业链技术 跃岭股份 持股中石光芯10.05%股份,主要生产销售磷化铟外延片、光芯片及激光器件 互动
海特高新 产业链技术 海特高新 参股公司华芯科技的磷化铟、砷化镓等产品用于光通信器件、光模块、光芯片等领域 互动
光迅科技 产业链技术 光迅科技 具备磷化铟芯片设计制造能力,垂直整合 公开信息
有研新材 产业链技术 有研新材 具备磷化铟制备专利,但暂无产业布局相关计划 互动
三安光电 产业链关联 三安光电 主要从事化合物半导体材料与器件的研发生产,以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为主 互动
华工科技 产业链关联 华工科技 围绕磷化铟、砷化镓化合物材料,积极布局硅基光电子、铌酸锂、量子点激光器等方向,自主研发并行光技术(CPO、LPO等) 互动
源杰科技 产业链关联 源杰科技 磷化铟激光器芯片IDM厂商。生产光芯片所需的衬底是为外采 公开信息
铭普光磁 产业链关联 铭普光磁 全资子公司安晟半导体,具备基于硅、砷化镓、磷化铟、碳化硅及氮化镓技术的半导体设计、制造、封装和测试能力 互动
锡业股份 材料-铟 锡业股份 铟资源储量全球第一,截至2024年底,公司铟金属保有资源储量4821吨。精铟国内市占率7.35%,全球市占率为5.01%;其中国内原生铟占比为29.79%,全球原生铟占比为11.35% 互动/公告
华锡有色 材料-铟 华锡有色 2024年铟锭产量9.89吨 公告
株冶集团 材料-铟 株冶集团 公司的铟产品产能约60吨/年 互动
中金岭南 材料-铟 中金岭南 公司产品包含铟锭 互动
锌业股份 材料-铟 锌业股份 铟是公司综合回收产品,每年产量约8吨 互动

潜在风险与挑战

技术风险

  • 6英寸磷化铟单晶片良率爬坡不及预期
  • 核心设备依赖进口,供应链风险
  • 技术迭代风险,硅基光电子技术可能替代部分应用

商业化风险

  • 磷化铟材料成本相对较高,面临竞争压力
  • 国内光模块厂商对国产材料接受度需时间验证
  • 新兴应用场景拓展速度可能不及预期

政策与竞争风险

  • 出口管制政策可能影响国内企业国际市场拓展
  • 海外巨头技术积累深厚,竞争压力大
  • 行业竞争加剧,产能扩张过快可能导致价格下跌

预期差风险

  • 技术突破与产业化进度存在矛盾
  • 国产替代速度可能低于市场预期
  • 新兴应用场景对磷化铟需求的短期拉动作用被高估

投资启示

最具投资价值的细分环节

上游衬底材料

技术壁垒最高、国产替代空间最大、产业地位核心、受益确定性最高、业绩弹性最大

次优投资方向

中游光芯片:市场需求直接、国产替代加速、技术积累深厚、应用场景广泛

需重点跟踪的关键指标

  • 产能释放进度:云南锗业6英寸磷化铟单晶片的实际产能和良率
  • 订单和客户情况:是否获得光模块厂商的大额订单
  • 产品性能和成本:是否达到国际领先水平,成本优势
  • 市场份额变化:国产替代速度是否达到预期
  • 新应用场景拓展:量子计算、激光雷达等领域的进展