长鑫、长江产业链

一、 宏观与政策环境

• 国产替代机遇: 美国将三星、SK海力士中国工厂移出“经验证最终用户”名单，利好国产替代。美光停止向中国数据中心供应服务器芯片，为长鑫DRAM创造需求缺口。
• 美国出口限制风险: 美国酝酿将长鑫存储纳入出口限制实体清单，并可能阻止三大原厂向中国供应HBM，凸显国产化紧迫性。

二、 长鑫与长江自身信息

• 经营与市场地位: 2025年Q1，长鑫与长江季度营收均突破10亿美元。Counterpoint预测长鑫市占率将从6%提升至8% (2025年底)。
• 技术、产品与产能:
  • 长鑫 (DRAM & HBM): DDR5已量产，良品率约80%。最新DDR5产品速率达8000Mbps。HBM2已量产，HBM3样品开发完成，计划2026年初供货。DRAM晶圆产量预计2026年达30万片/月。
  • 长江 (NAND): 成功实现294层3D NAND量产，积极推进300层开发，技术逼近三星。
• 公司动态 (IPO): 长鑫存储IPO进程稳步推进，2025年10月完成辅导，市场高度关注。2024年3月融资后估值约1400亿元。

一、长鑫存储（CXMT）相关信息

• 战略与IPO: 核心议题为长鑫IPO及产业链投资机会。以IDM模式聚焦DRAM和HBM，扩产激进，目标缩小与海外代差。
• 技术进展:
  • DRAM: DDR5已量产。正研究3D DRAM技术，基于源自长江存储的"X架构"，有望绕开EUV限制。
  • HBM: HBM2已量产，计划2024年底交付HBM3样品，2026年目标HBM3全面量产。
• 产能规划: 2024年底预计20万片/月，2025年底目标30万片/月，届时全球份额或达20%（与美光相当）。
• 资本开支: 合肥二期项目投资171亿元，月产能3万片。DRAM单万片设备投资约70-80亿元。
• 核心供应商:
  • 设备: 北方华创 (晶圆端龙头)、芯源微 (HBM封测涂胶显影)、华海清科 (CMP设备)。
  • 材料: 雅克科技 (前道材料)、华海诚科 (HBM封装材料)。
  • 战略合作: 兆易创新 (代工+自研DRAM)，关联交易额预计2025年达12亿元。

二、长江存储（YMTC）相关信息

• 技术进展: 推进128层以上NAND量产。凭借3D NAND的堆叠经验（Xtacking架构），或成为3D DRAM技术的潜在参与者。

综合分析，研报中直接且深入的分析有限，主要集中在对产业链上游公司的覆盖，并强调了国产替代的宏大背景。

• 长江能科 (920158.BJ): 报告关联性最强。公司地处长江经济带，深度绑定区域内炼化一体化项目，是长江产业链的配套装备供应商。若未来长江经济带布局半导体配套产业，可能产生间接协同。
• 海外大储产业链研报: 核心观点提及“与长鑫、长江产业链相关的企业动态”，但正文未展开，表明市场已将此概念作为重要观察维度。
• “长江”的多重指代: 需注意，“长江产业链”在不同研报中可能指代：1) 以长江存储为核心的半导体链；2) 长江经济带产业集群；3) 长江和记实业集团生态。
• 上游产业关联: 部分研报涉及硅产业链、特种气体等，虽未直接点名长鑫/长江，但作为半导体产业上游，存在潜在关联性。