技术突破 + 周期复苏 + AI需求爆发，SRAM存储迎来三重共振
Groq发布LPU推理芯片，首次采用230MB SRAM替代HBM，实现比GPU快20倍的推理速度（750TOPS@INT8），引发市场对SRAM技术路线的关注。
恒烁股份宣布与中科大合作开发SRAM数字存算一体芯片，算力达TOPS级，目标应用于数据中心和汽车电子。
A股SRAM概念股集体异动，北京君正、恒烁股份、西测测试等涨停，催化因素为Groq技术突破叠加存储周期复苏预期。
MWC 2025展会华为展示SRAM相关存储创新，Omdia预测2025-2029年存储设备CAGR达12.5%，SRAM作为AI存储升级方向被重点提及。
SRAM存储正处于技术突破（存算一体）+周期复苏（存储涨价）+AI需求爆发的三重共振阶段。短期看，Groq事件催化主题炒作；中长期看，SRAM在存算一体芯片中的不可替代性（高速、低延迟）将驱动基本面价值重估。
SRAM是唯一可集成于CMOS工艺的存储介质，存算一体芯片需依赖SRAM实现低延迟计算（如Groq的230MB SRAM带宽达80TB/s）。
AI推理场景（如LPU、边缘计算）对SRAM需求激增，单机SRAM用量从MB级跃升至GB级（如Groq需500颗芯片跑70B模型）。
存储行业2024Q4进入涨价周期，SRAM作为利基市场（全球约60亿美元）弹性更大（中泰证券预测Q2利基产品涨价10%）。
1.2亿+
微博阅读量
+8.7%
当日板块涨幅
深度报告聚焦SRAM存算一体，机构一致预期2025年为商业化元年
普遍将SRAM视为"HBM替代品"，忽略其存算一体核心载体价值。
SRAM成本随工艺微缩不降反升（7nm后成本占比超70%），但存算一体可通过架构创新抵消（如Groq数据流设计）。
国内厂商（如恒烁股份）SRAM存算芯片2025年Q3流片，进度领先市场预期。
2025年Q3：验证AI眼镜/车载场景落地能力
可能采用SRAM方案，引爆供应链需求
若利基SRAM Q2涨价>15%（中泰专家预测），将强化周期逻辑
SRAM存算芯片在边缘AI设备（智能穿戴、车载）规模化应用，市场规模从0.5亿美元→5亿美元
向云端推理渗透，与HBM形成互补（SRAM负责低延迟缓存，HBM负责大容量存储）
上游
晶圆代工（中芯国际55nm/40nm SRAM工艺）
中游
SRAM设计（北京君正、恒烁股份）
下游
存算一体芯片（Groq、华为昇腾）、AI终端（Meta眼镜、比亚迪车载）
| 公司 | 技术路线 | 进展验证 | 风险点 |
|---|---|---|---|
| 北京君正 | 车规SRAM龙头 | 全球市占率40%+（车规DRAM延伸） | 消费级SRAM占比低，弹性有限 |
| 恒烁股份 | SRAM数字存算一体 | 2025年Q3流片，与中科大合作 | 商业化进度不及预期 |
| 西测测试 | SRAM测试设备 | 覆盖兆易创新、北京君正供应链 | 订单依赖下游扩产节奏 |
| 兆易创新 | SRAM起家（历史背景） | 未明确存算布局，传统NOR Flash为主 | 主题关联度弱 |
兆易创新虽为"SRAM起家"，但路演显示其存算一体基于NOR Flash，与SRAM主题关联度低。
北京君正2024年SRAM收入占比<5%（路演数据），但车规客户（博世、大陆）粘性极强，周期复苏下毛利率维持36%。
| 风险类型 | 具体表现 |
|---|---|
| 技术瓶颈 | SRAM存储密度极限（6晶体管/单元），难以支持超大规模模型（如GPT-4需TB级缓存） |
| 商业化风险 | Groq方案需500颗芯片跑70B模型，成本过高（$25万 vs 英伟达$16万） |
| 竞争替代 | RRAM/MRAM等新型存储器若突破寿命瓶颈（写入次数>10^6），可能替代SRAM |
| 信息矛盾 | 路演称SRAM"非易失性"（恒烁股份表述错误），实际为易失性存储，需修正认知 |
阶段判断：SRAM概念处于主题炒作向基本面过渡阶段。短期受Groq事件驱动，长期看存算一体技术落地。
恒烁股份
SRAM存算一体芯片+2025年流片催化
北京君正
车规SRAM复苏+国产替代
西测测试
SRAM测试设备稀缺性
恒烁股份流片进度：2025年Q3是否如期送样客户（如华为、比亚迪）
SRAM价格信号：利基产品Q2现货价是否突破$0.03/GB（中泰专家预测）
下游渗透率：AI眼镜/车载设备中SRAM存算芯片出货量（2025年目标100万颗）
| 股票名称 | 行业/项目/产品/技术 | 关联原因 |
|---|