功率半导体概念分析

周期复苏与结构升级的双轮驱动

核心观点摘要

功率半导体行业正处于由周期触底回升技术结构升级双轮驱动的黄金发展期。其核心驱动力源于新能源车(特别是800V高压平台)和"风光储"带来的需求爆发,以及国产替代在成本和供应链安全优势下的加速渗透。

35%↑
800V架构2030年渗透率
50%+
国产成本优势
30%↓
SiC损耗降低

关键事件时间轴

2025-09-12

无锡振华报告:800V架构渗透率2025-2030年从9.5%提升至35%以上

800V
2025-07-30

深蓝汽车与功率半导体龙头联合布局下一代芯片

产业协同
2025-02-02

太空验证国产SiC功率器件,第三代半导体应用突破

SiC
2024-01-15

多家企业发布涨价函,行业供需关系逆转信号

涨价潮

能源革命

  • 新能源汽车800V高压平台
  • 光伏储能需求爆发
  • 充电桩建设加速

国产替代

  • 成本优势50%+
  • 供应链安全需求
  • 技术加速追赶

技术迭代

  • SiC第三代半导体
  • 效率提升30%
  • 耐高温性能

核心公司分析

公司名称 产品分类 市场地位/相关性 数据来源 核心逻辑
华润微 MOSFET A股第一,中国市场市占率9% 中金企信2020年数据 IDM龙头,全产业链一体化优势
士兰微 MOSFET IGBT MOSFET A股第二,IGBT国内第一 中金企信2020年数据 双产品线布局,全球IGBT市占率3.4%
斯达半导 IGBT IGBT模块国内第一,全球市占率4.3% 研报2022年数据 车规级IGBT技术领先,深度绑定大客户
新洁能 MOSFET IGBT MOSFET A股第三,市占率3.76% 中金企信2020年数据 产品迭代快,光伏服务器电源增长迅速
时代电气 IGBT IGBT模块国内第二,全球市占率4.1% 研报2022年数据 轨道交通技术积累,拓展新能源汽车
扬杰科技 IGBT 8/12寸IGBT芯片全系列批量出货 调研数据 涨价潮主力,中低压产品库存干净
芯联集成 SiC MOSFET 2025年H1 SiC出货量亚洲前列 调研数据 SiC领域快速突破,代工产能优势
东微半导 MOSFET 超级结MOSFET在12英寸基地扩容 半年报 技术领先,高端产品占比提升

关键风险与挑战

技术风险

SiC衬底良率和成本仍是制约第三代半导体大规模应用的核心瓶颈

商业化风险

SiC器件价格过高,车企搭载意愿不及预期

竞争风险

海外巨头反制,价格战"内卷"压力

预期差风险

涨价仅限中低压产品,非全面复苏

投资启示

功率半导体概念正从主题炒作阶段,逐步过渡到基本面驱动的分化阶段。行业的贝塔行情普涨期已过,未来将是阿尔法机会的天下。

拥抱结构升级

优先选择汽车电子(800V/SiC)和绿色能源赛道中具备核心技术护城河的公司

布局周期复苏

关注中低压产品占比高、成本控制能力强的弹性品种

挖掘隐形冠军

配套散热基板等关键组件的细分龙头将直接受益产业升级