下一代半导体先进制程核心技术，引领芯片性能突破
工艺节点
性能提升
能效优化
GAA（Gate-All-Around）晶体管是一种新型晶体管结构，通过将栅极环绕在沟道周围，实现对电流的更精确控制，突破传统FinFET技术的物理极限。
相比FinFET，GAA晶体管可提供更高的驱动电流、更低的漏电流和更好的静电控制，使芯片在同等功耗下性能提升30%以上，或在同等性能下功耗降低50%以上。
GAA技术是3nm及以下工艺节点的关键，将推动半导体设备、材料、设计工具等全产业链升级，为AI、高性能计算、移动设备等领域提供更强算力支持。
| 股票名称 | 分类 | 行业/设备 | 技术特点/应用 | 消息来源 |
|---|---|---|---|---|
| 柏诚股份 | 直接相关 | 洁净室设备供应商 | GAA促使半导体企业产线改造及技术升级，进而带动洁净室行业需求持续增长。公司是GAA晶体管洁净室设备供应商，受益于先进制程扩产 | 公告 |
| 概伦电子 | 直接相关 | EDA工具供应商 | 支持7nm/5nm/3nm等先进工艺节点，GAAFET结构用于3nm及以下先进工艺制程的芯片研发设计 | 投资者活动记录表 |
| 国林科技 | 直接相关 | 薄膜沉积和臭氧清洗设备供应商 | 设备可应用于GAA工艺，子公司国林半导体营业收入占公司主营业务收入比重较小 | 互动 |
| 中科飞测 | 直接相关 | 先进制程明场纳米图形晶圆缺陷检测设备 | REDWOOD-900检测精度达10nm级，适配FinFET、GAA等先进晶体管结构，2023年4月28日宣布设备再次出货头部客户 | 公开资料 |
| 新莱应材 | 产业链配套 | 真空半导体封装技术 | 涉及GAA工艺，半导体真空系统和气体系统服务于泛半导体设备供应商、工程公司及终端制造商 | 互动 |
| 微导纳米 | 产业链配套 | ALD技术 | 高质量薄膜满足GAA环绕式栅极中薄膜沉积要求 | 互动 |
| 中微公司 | 产业链配套 | Primo SSC™设备 | 支持原子层沉积（ALD）/PECVD混合模式，实现亚纳米级薄膜均匀性，开发面向2nm的介质蚀刻-PECVD协同模块，解决高选择性刻蚀挑战 | 公开资料 |
| 北方华创 | 产业链配套 | PECCVD设备 | 突破28nm节点，2nm方向聚焦超低温沉积（≤350℃）及原位退火集成技术，介电薄膜厚度偏差控制在±0.5Å以内，但高深宽比覆盖能力落后国际1-2代 | 公开资料 |
| 拓荆科技 | 产业链配套 | PECVD设备 | 在中芯国际28纳米生产线实现规模化应用 | 公开资料 |
高纯度硅片、光刻胶、特种气体等材料；光刻机、刻蚀设备、薄膜沉积设备等关键设备
台积电、三星、英特尔等晶圆厂负责GAA工艺研发与量产
高性能计算、AI加速器、高端智能手机、数据中心等