改良型半加成工艺 (mSAP)

技术定义与应用驱动

• 定义：介于载板与HDI之间的半加成工艺，通过选择性电镀减少侧蚀，实现更精细线路（如15μm）和稳定阻抗控制。
• 核心驱动 - CoWoP：NVIDIA将在Rubin Ultra上采用CoWoP工艺，芯片直接封装在PCB上，PCB需升级至mSAP工艺以满足30μm及以下的线宽线距要求，实现"PCB的半导体化"。
• 应用拓展：已从手机主板（SLP）拓展至1.6T及以上光模块、下一代机柜OAM、46层正交背板等AI硬件关键环节。

产业链影响

• 核心材料 - 载体铜箔(dth)：mSAP的核心材料，必须使用可剥离超薄载体铜箔（1.5-3μm），极大拉动dth需求。
• 其他材料：对Low CTE（低热膨胀系数）电子布和湿电子化学品（如水平沉铜、电镀液）用量均有提升。
• 核心设备：推动高分辨率激光直接成像（LDI）、超快激光钻孔设备和水平电镀设备（如MVCP）的需求。

路演数据洞察：信息稀缺性凸显

在提供的12份路演纪要中，仅一份（山西证券化工路演）提及mSAP，关键信息点包括：

• 定义：明确mSAP为改良半加成工艺（Modified Semi-Additive Process）。
• 方法：使用极薄铜箔（如1μm）与PP层压。
• 技术挑战：实现精细线路（如15μm）受限于铜箔粗糙度，需要极强的工艺能力。这与市场普遍认为技术成熟的乐观情绪形成对比，揭示了潜在的技术落地风险。

研报数据洞察：信息质量堪忧

提供的8份研报总结中，没有任何一份直接、准确地分析mSAP。反而出现了严重的信息偏差：

• 错误类比：将丝杠加工的“激光修整法”、特种玻璃的“精密退火”等无关工艺强行关联至mSAP。
• 潜在推测：部分报告推测mSAP可能应用于半导体代工、OLED驱动芯片等领域，但缺乏实质性论证。
• 结论：这反映出当前市场可能极度缺乏对mSAP的权威、深度研究，投资决策更多依赖新闻和传闻，信息不对称风险极高。